ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะมีรูปร่างลักษณะ การสร้างทําได้โดยการพันฟิล์มโลหะใหัเป็นแผ่นบางๆ ลง
บนเซรามิครูปทรงกระบอก จากนั้นจึงตัดแผ่นฟิล์มนี้โดยให้มีส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มคั่นอยู่กับฉนวนซึ่งเป็น
เซรามิค ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะนี้จะมีค่าความคลาดเคลื่อนน้อยมาก และยังทนต่อการเปลี่ยนแปลง
อุณหภูมิภายนอกได้ดี นอกจากนี้ยังเกิดสัญญาณรบกวนได้น้อยเมื่อเทียบกับตัวต้านทานคาร์บอนชนิดอื่นๆ
ตัวต้านทานชนิดไวร์วาว์ด ( Wire wound Resistor )
โครงสร้างภายในของตัวต้านทานชนิดนี้เกิดจากพันขดลวดรอบๆ แกนเซรามิค ซึ่งทําหน้าที่เป็นฉนวน
จากนั้นจึงต่อเข้าด้วยลวดตัวนําจากส่วนหัวและท้ายออกมา สําหรับค่าความต้านทานสามารถเปลี่ยนแปลง
ได้โดยขึ้นอยู่กับความยาวและขนาดของขดลวดที่ใช้พัน
ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ ส่วนมากนิยมใช้ในงานที่ต้องการค่าความต้านทานต่ําๆ ทั้งนี้เพื่อให้กระแส
ไหลผ่านได้ดี ดังนั้นการออกแบบจึงควรให้มีขนาดใหญ่เพื่อช่วยให้สามารถกระจายความร้อนได้มากกว่า ตัว
ต้านทานแบบไวร์วาวด์นี้จะมีค่าความคลาดเคลื่อนประมาณ 1 % แต่ด้วยโครงสร้างที่ใหญ่และขั้นตอนการ
ผลิตที่ยุ่งยากจึงทําให้ตัวต้านทานชนิดนี้มีราคาแพง
ตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ ( Metal Oxide Resistor)
ตัวต้านทานชนิดนี้มีโครงสร้างตัวต้านทานที่เคลือบด้วยออกไซด์โลหะ ประเภทดีบุกลงบนวัสดุที่ใช้เป็นฉนวน
โดยอัตราส่วนของออกไซด์โลหะมีคุณสมบัติเป็นตัวนําต่อฉนวน จะเป็นตัวกําหนดค่าความ
ต้านทานให้กับตัวต้านทานชนิดนี้ คุณสมบัติพิเศษสําหรับตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ คือ สามารถ
ทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิได้
ตัวต้านทานชนิดแผ่นฟิล์มหนา ( Thick - Film Resistor )
ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนามีอยู่ 2 แบบ คือ แบบ SIP (Single in - line Package ) และ DIP ( Dual in -
Line Package ) ตัวต้านทานแบบ SIP จะต่อลวดตัวนําออกจากความต้านทานภายในเพียงแถวเดียว ส่วนตัว
ต้านทานแบบ DIP จะมีลวดตัวนํา 2 แถว ต่อออกมาภายนอก ซึ่งตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาทั้งสองแบบจะ
ได้รับการปรับแต่งให้ค่าความคลาดเคลื่อนประมาณ 2% โดยค่าความต้านทานที่ใช้ในงานทั่วไปของตัว
ต้านทานชนิดนี้อยู่ระหว่าง 22 โอห์ม ถึง 2.2 เมกะโอห์ม และมีอัตราทนกําลัง ประมาณ 1/2วัตต์
ตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้ ( Variable Value Resistor )
การปรับปุ่มควบคุมระดับความดัง หรือ วอลลุม ( Volume ) ซึ่งอุปกรณ์ดังกล่าวนี้เป็นตัวอย่างของตัว
ต้านทานชนิดปรับค่าได้ประเภทหนึ่ง
ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้โดยอาศัยกลไก ตัวต้านทานชนิดนี้เปลี่ยนค่าได้โดยอาศัยกลไกมีอยู่ 2 แบบ
ได้แก่
- รีโอสตัส ( Rheostat )
- โพเทนชิโอมิเตอร์ ( Potentiometer )
รีโอสตัส ( 2 ขั้ว : A และ B )
รูปลักษณะของรีโอสตัสแบบต่างๆ ดังรูป ก ส่วนสัญลักษณ์ของรีโอสตัส ดังแสดงในรูป ข ส่วนรูป ค
จะแสดงโครงสร้างภายในของรีโอสตัสแบบวงกลม ซึ่งจะเห็นว่าปลายอีกด้านหนึ่งของผิวสัมผัส เมื่อคันกรีด
เคลื่อนที่ออกห่างไปจากบริเวณส่วนที่ขั้วต่ออยู่ จะทําให้ความต้านทานเพิ่มขึ้น ซึ่งจะแสดงตามรูป ง ซึ่งคัน
กรีดจะเคลื่อนที่ต่ําลงโดยการหมุนแกนตามเข็มนาฬิกา
ด้วยเหตุนี้กระแสไฟฟ้าจึงไหลผ่านได้น้อยเนื่องจากค่าความต้านทานที่มีค่ามาก ในทางกลับกันถ้าคันกรีด
เคลื่อนที่เข้าใกล้ส่วนปลายที่มีขั้วต่ออยู่จะทําให้ค่าความต้านทานลดลง ดังแสดงในรูป จ ซึ่งคันกรีดจะ
เคลื่อนที่ขึ้นโดยการหมุนแกนทวนเข็มนาฬิกาและกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านรีโอสตัสในกรณีนี้จะมีค่ามาก
เนื่องจากค่าความต้านทานที่ลดลงนั่นเอง
เทนชิโอมิเตอร์ ( 3 ขั้ว : A,B และ C )
รูปแสดงลักษณะภายนอกของโพเทนชิโอมิเตอร์แบบต่างๆ ซึ่งบางครั้งนิยมเรียกอุปกรณ์ชนิดนี้ว่า พอต
(Pot) ดังแสดงในรูป ข ความแตกต่างระหว่างโพเทนชิโอมิเตอร์และรีโอสตัส คือจํานวนขั้วต่อใช้งาน ซึ่ง
ขั้วต่อของโพเทนชิโอมิเตอร์จะมี 3 ขั้ว โดยการนําไปใช์งานสามารถต่อค่าความต้านทานได้ 3 แบบ ได้แก่
ระหว่าง A และ B (X) ระหว่าง B และ C (Y) และระหว่าง C และ A (Z) ส่วนที่เพิ่มเข้ามาที่ทําให้โพเทนชิโอ
มิเตอร์แตกต่างไปจากรีโอสตัส คือ ขั้วที่ 3 ที่ต่อเข้ากับปลายอีกด้านหนึ่งของแถบค่าความต้านทาน
ตัวต้านทานแบบพิเศษ
ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าโดยใช้ความร้อน
จากการที่ได้รู้จักกับตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้แบบรีโอสตัส และแบบโพเทนชิโอมิเตอร์ไปแล้ว ซึ่ง
ทั้งสองแบบจะเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานโดยอาศัยกลไกเพื่อหมุนแกนที่เชื่อมกับคันกรีด เพื่อไป
เปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานภายใน แต่ยังมีอุปกรณ์อีกชนิดหนึ่งที่สามารถเปลี่ยนค่าความต้านทานได้โดย
อาศัยหลักการให้พลังงานความร้อนแทนซึ่งอุปกรณ์ชนิดนี้มีชื่อว่า เทอมิสเตอร์ (Thermister) แบ่งออกเป็น 2
ประเภทคือ
1. Positive temperrature control thremister (PCT) ถ้าอุณหภูมิสูงขึ้นค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะเพิ่มขึ้น
ตามด้วย ถ้าอุณหภูมิต่ําค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะลดตามด้วย
2. Negative temperrature control thremister (PCT) ถ้าอุณหภูมิสูงขึ้นค่าความต้านทาน
เทอมิสเตอร์ จะลดลง ถ้าอุณหภูมิต่ําค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะเพิ่มขึ้น
สัญลักษณ์ของเทอมิตเตอร์
อ่านต่อหน้าต่อ บทที่3 >>
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น